casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2144T0L
codice articolo del costruttore | DRA2144T0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRA2144T0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2144T0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2144T0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA2144T0L-FT |
FJN3312RTA
ON Semiconductor
FJN3313RTA
ON Semiconductor
FJN3314RTA
ON Semiconductor
FJN3315RTA
ON Semiconductor
FJN4304RTA
ON Semiconductor
FJN4306RTA
ON Semiconductor
FJN4307RTA
ON Semiconductor
FJN4308RTA
ON Semiconductor
FJN4310RTA
ON Semiconductor
FJN4311RTA
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel