casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PBRP123YT,215
codice articolo del costruttore | PBRP123YT,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PBRP123YT,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBRP123YT,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 230 @ 300mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 6mA, 600mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRP123YT,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBRP123YT,215-FT |
PDTA123JU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA124EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA143EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA113EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA114EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA114EU,135
Nexperia USA Inc.
PDTA114YU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA114YUF
Nexperia USA Inc.
PDTA115EU,115
Nexperia USA Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-3HT176I
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
5SGXMA4K3F40C2LN
Intel
10AX032H3F34I2SG
Intel
10M08SCE144A7G
Intel
5SGXMA3K3F35C2LN
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.