casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PBRN113ET,215
codice articolo del costruttore | PBRN113ET,215 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PBRN113ET,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBRN113ET,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRN113ET,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBRN113ET,215-FT |
PDTC124XU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC143XU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA114TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA123JU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA124EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA143EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA113EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA114EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA114EU,135
Nexperia USA Inc.
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35I3N
Intel
5SGXMA4K3F35I3
Intel
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel