casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJN4302RBU
codice articolo del costruttore | FJN4302RBU |
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Numero di parte futuro | FT-FJN4302RBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJN4302RBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN4302RBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJN4302RBU-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
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XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
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5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel