casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJN3310RBU
ON Semiconductor FJN3310RBU
- Numero parte MFG
- FJN3310RBU
- quantità disponibile
- 98470 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FJN3310RBU.pdf
FJN3310RBU specificazioni
| codice articolo del costruttore | FJN3310RBU |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FJN3310RBU |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| FJN3310RBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 300mW |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FJN3310RBU Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FJN3310RBU-FT |
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