casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FJ3P02100L
codice articolo del costruttore | FJ3P02100L |
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Numero di parte futuro | FT-FJ3P02100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJ3P02100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PMCP |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Non-Standard |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJ3P02100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJ3P02100L-FT |
2SK2848
Sanken
2SK2943
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2SK3003
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2SK3004
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2SK3199
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FKI06051
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