casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FKI06108
codice articolo del costruttore | FKI06108 |
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Numero di parte futuro | FT-FKI06108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FKI06108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 28.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 650µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FKI06108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FKI06108-FT |
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Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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