casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FKI06190
codice articolo del costruttore | FKI06190 |
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Numero di parte futuro | FT-FKI06190 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FKI06190 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3 mOhm @ 19.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FKI06190 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FKI06190-FT |
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