casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGA6560WDF
codice articolo del costruttore | FGA6560WDF |
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Numero di parte futuro | FT-FGA6560WDF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGA6560WDF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 306W |
Cambiare energia | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 84nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25.6ns/71ns |
Condizione di test | 400V, 60A, 6 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGA6560WDF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGA6560WDF-FT |
FGH75T65UPD-F085
ON Semiconductor
HGTG30N60A4
ON Semiconductor
HGTG30N60B3D
ON Semiconductor
HGTG20N60A4
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HGTG30N60A4D
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HGTG20N60B3D
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HGTG18N120BN
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HGTG18N120BND
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HGTG30N60C3D
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HGTG10N120BND
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XC7A50T-1FT256I
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XC4044XL-1HQ304C
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EP2S15F672I4
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5SGXEA7N2F45I3N
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XC7VX330T-3FFG1157E
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LFXP6E-4QN208I
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LFE3-70EA-9FN484I
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10AX090N4F40I3LG
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