codice articolo del costruttore | FDZ493P |
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Numero di parte futuro | FT-FDZ493P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDZ493P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 754pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 9-BGA (1.5x1.5) |
Pacchetto / caso | 9-WFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDZ493P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDZ493P-FT |
FQI7N80TU
ON Semiconductor
FQI13N50CTU
ON Semiconductor
FDI150N10
ON Semiconductor
FCI25N60N-F102
ON Semiconductor
FDI9409-F085
ON Semiconductor
FQI10N20CTU
ON Semiconductor
FQI10N60CTU
ON Semiconductor
FQI11P06TU
ON Semiconductor
FQI12N50TU
ON Semiconductor
FQI12N60CTU
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel