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ON Semiconductor FDS86267P

Numero parte MFG
FDS86267P
quantità disponibile
98650 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.522248
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET P-CH 150V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDS86267P specificazioni

codice articolo del costruttore FDS86267P
Numero di parte futuro FT-FDS86267P
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDS86267P Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 255 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 75V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS86267P Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDS86267P-FT

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