casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQAF33N10
codice articolo del costruttore | FQAF33N10 |
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Numero di parte futuro | FT-FQAF33N10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQAF33N10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 12.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF33N10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQAF33N10-FT |
FQU3N40TU
ON Semiconductor
FQU3N60CTU
ON Semiconductor
FQU3N60TU
ON Semiconductor
FQU3P20TU
ON Semiconductor
FQU3P50TU
ON Semiconductor
FQU4N20TU
ON Semiconductor
FQU4N25TU
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FQU4N50TU
ON Semiconductor
FQU4N50TU-WS
ON Semiconductor
FQU4P25TU
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel