casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMD8240L
codice articolo del costruttore | FDMD8240L |
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Numero di parte futuro | FT-FDMD8240L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMD8240L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4230pF @ 20V |
Potenza - Max | 2.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 12-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 12-Power3.3x5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8240L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMD8240L-FT |
IRF9910TRPBF
Infineon Technologies
IRF9952
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IRF9952PBF
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IRF9953TR
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IRF9956
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XC2S15-5TQG144I
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XC4005XL-1PQ100C
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M1A3PE1500-FG484
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A54SX72A-PQG208I
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EP4CE15E22I8L
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10AX090R4F40E3SG
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