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Rohm Semiconductor SCT3120ALGC11

Numero parte MFG
SCT3120ALGC11
quantità disponibile
17880 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 6.104
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SCT3120ALGC11 specificazioni

codice articolo del costruttore SCT3120ALGC11
Numero di parte futuro FT-SCT3120ALGC11
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SCT3120ALGC11 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 18V
Vgs (massimo) +22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 103W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT3120ALGC11 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SCT3120ALGC11-FT

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