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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

Numero parte MFG
SCT2H12NYTB
quantità disponibile
71350 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.9452
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SCT2H12NYTB specificazioni

codice articolo del costruttore SCT2H12NYTB
Numero di parte futuro FT-SCT2H12NYTB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SCT2H12NYTB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 18V
Vgs (massimo) +22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 44W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT2H12NYTB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SCT2H12NYTB-FT

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