casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDPF18N50
codice articolo del costruttore | FDPF18N50 |
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Numero di parte futuro | FT-FDPF18N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDPF18N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2860pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF18N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDPF18N50-FT |
GP2M007A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060H
Global Power Technologies Group
GP2M010A065H
Global Power Technologies Group
GP2M012A060H
Global Power Technologies Group
GP2M020A050H
Global Power Technologies Group
GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
FCH76N60NF
ON Semiconductor
FDH3632
ON Semiconductor
FCH104N60
ON Semiconductor