casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP2M010A065H
codice articolo del costruttore | GP2M010A065H |
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Numero di parte futuro | FT-GP2M010A065H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M010A065H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 4.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 198W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M010A065H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2M010A065H-FT |
GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PGH
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PGH
Global Power Technologies Group
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel