casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP2M008A060HG
codice articolo del costruttore | GP2M008A060HG |
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Numero di parte futuro | FT-GP2M008A060HG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M008A060HG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M008A060HG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2M008A060HG-FT |
GP1M009A020PG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PGH
Global Power Technologies Group
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel