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ON Semiconductor FDP8D5N10C

Numero parte MFG
FDP8D5N10C
quantità disponibile
43000 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.876912
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDP8D5N10C specificazioni

codice articolo del costruttore FDP8D5N10C
Numero di parte futuro FT-FDP8D5N10C
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDP8D5N10C Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2475pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 107W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP8D5N10C Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDP8D5N10C-FT

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