casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDP14AN06LA0
codice articolo del costruttore | FDP14AN06LA0 |
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Numero di parte futuro | FT-FDP14AN06LA0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP14AN06LA0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 67A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP14AN06LA0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP14AN06LA0-FT |
FQP85N06
ON Semiconductor
HUF75332P3
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FQP17N40
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FCP650N80Z
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FCP11N60N
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FDP5800
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XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
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EP1S20F672I7
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XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
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LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
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