codice articolo del costruttore | IRF530A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF530A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF530A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF530A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF530A-FT |
FDP20N50F
ON Semiconductor
HUF75545P3
ON Semiconductor
FQP4N20L
ON Semiconductor
FDP61N20
ON Semiconductor
FDP8880
ON Semiconductor
FDP15N40
ON Semiconductor
FQP27P06
ON Semiconductor
FQP30N06L
ON Semiconductor
FQP2N60C
ON Semiconductor
FQP3P50
ON Semiconductor