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ON Semiconductor FCP650N80Z

Name: FCP650N80Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP650N80Z
Price: 2.576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (267 reviews)

Numero parte MFG: FCP650N80Z

quantità disponibile: 16960 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.576

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 10A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCP650N80Z.pdf

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FCP650N80Z specificazioni

codice articolo del costruttore	FCP650N80Z
Numero di parte futuro	FT-FCP650N80Z
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperFET® II
FCP650N80Z Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1565pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	162W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP650N80Z Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCP650N80Z-FT

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