casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDP52N20
codice articolo del costruttore | FDP52N20 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDP52N20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDP52N20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP52N20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP52N20-FT |
FQPF7N20
ON Semiconductor
FQPF7N20L
ON Semiconductor
FQPF7N40
ON Semiconductor
FQPF7N65C_F105
ON Semiconductor
FQPF7N80
ON Semiconductor
FQPF7N80C
ON Semiconductor
FQPF7P06
ON Semiconductor
FQPF8N60CT
ON Semiconductor
FQPF8N90C
ON Semiconductor
FQPF8P10
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel