casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQP50N06L
codice articolo del costruttore | FQP50N06L |
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Numero di parte futuro | FT-FQP50N06L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP50N06L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 26.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 121W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP50N06L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP50N06L-FT |
FQPF7N80
ON Semiconductor
FQPF7N80C
ON Semiconductor
FQPF7P06
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FQPF8N60CT
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FQPF8N90C
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FQPF8P10
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FQPF90N10V2
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FQPF9N08L
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FQPF9N15
ON Semiconductor
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
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5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation