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ON Semiconductor FDMS86102LZ

Name: FDMS86102LZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS86102LZ
Price: 0.6534 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (55 reviews)

Numero parte MFG: FDMS86102LZ

quantità disponibile: 67290 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.6534

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDMS86102LZ.pdf

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FDMS86102LZ specificazioni

codice articolo del costruttore	FDMS86102LZ
Numero di parte futuro	FT-FDMS86102LZ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMS86102LZ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1305pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS86102LZ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDMS86102LZ-FT

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