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ON Semiconductor FDMA86108LZ

Name: FDMA86108LZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMA86108LZ
Price: 0.317216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (485 reviews)

Numero parte MFG: FDMA86108LZ

quantità disponibile: 90320 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.317216

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDMA86108LZ.pdf

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FDMA86108LZ specificazioni

codice articolo del costruttore	FDMA86108LZ
Numero di parte futuro	FT-FDMA86108LZ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMA86108LZ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	243 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	163pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-MicroFET (2x2)
Pacchetto / caso	6-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMA86108LZ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDMA86108LZ-FT

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