casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMA86265P
codice articolo del costruttore | FDMA86265P |
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Numero di parte futuro | FT-FDMA86265P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMA86265P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMA86265P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMA86265P-FT |
FDC640P
ON Semiconductor
FDC655BN
ON Semiconductor
SI3457DV
ON Semiconductor
FDC658P
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FDC8878
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FDC365P
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FDC606P
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FDC8886
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AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
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XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel