casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN3110LCP3-7
codice articolo del costruttore | DMN3110LCP3-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3110LCP3-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3110LCP3-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 500mA, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.52nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | 12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.38W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3110LCP3-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3110LCP3-7-FT |
IXFL40N110P
IXYS
IXFL60N80P
IXYS
IXFL82N60P
IXYS
MMIX1F132N50P3
IXYS
MMIX1F160N30T
IXYS
MMIX1F180N25T
IXYS
MMIX1F230N20T
IXYS
MMIX1F40N110P
IXYS
MMIX1F420N10T
IXYS
MMIX1T550N055T2
IXYS
A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel