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Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7

Numero parte MFG
DMN3110LCP3-7
quantità disponibile
96950 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.142952
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN3110LCP3-7 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN3110LCP3-7
Numero di parte futuro FT-DMN3110LCP3-7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN3110LCP3-7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.52nC @ 4.5V
Vgs (massimo) 12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.38W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3110LCP3-7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN3110LCP3-7-FT

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