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ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD

Name: FDMS1D2N03DSD
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS1D2N03DSD
Price: 1.0098 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (330 reviews)

Numero parte MFG: FDMS1D2N03DSD

quantità disponibile: 71590 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.0098

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® PT11N 30/12 PT11N 30/12

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDMS1D2N03DSD.pdf

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FDMS1D2N03DSD specificazioni

codice articolo del costruttore	FDMS1D2N03DSD
Numero di parte futuro	FT-FDMS1D2N03DSD
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMS1D2N03DSD Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Potenza - Max	2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS1D2N03DSD Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDMS1D2N03DSD-FT

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