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ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD
- Numero parte MFG
- FDMS1D2N03DSD
- quantità disponibile
- 71590 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.0098
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- PowerTrench® PT11N 30/12 PT11N 30/12
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FDMS1D2N03DSD.pdf
FDMS1D2N03DSD specificazioni
| codice articolo del costruttore | FDMS1D2N03DSD |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FDMS1D2N03DSD |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | PowerTrench® |
| FDMS1D2N03DSD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V, 117nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDMS1D2N03DSD Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FDMS1D2N03DSD-FT |
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