casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS007N08LC
codice articolo del costruttore | FDMS007N08LC |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS007N08LC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS007N08LC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 84A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS007N08LC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS007N08LC-FT |
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C08NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C760NT1G
ON Semiconductor
SI3420-TP
Micro Commercial Co
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
A3PE600-1FG256I
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A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel