casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMD8560L
codice articolo del costruttore | FDMD8560L |
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Numero di parte futuro | FT-FDMD8560L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMD8560L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A, 93A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11130pF @ 30V |
Potenza - Max | 2.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Power 5x6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8560L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMD8560L-FT |
APTMC60TL11CT3AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM55CT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM25CT3AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM08CD3AG
Microsemi Corporation
APTM50HM75STG
Microsemi Corporation
APTC60HM70SCTG
Microsemi Corporation
APTM100H45SCTG
Microsemi Corporation
APTM50HM65FT3G
Microsemi Corporation
APTM50H14FT3G
Microsemi Corporation
APTM50AM38STG
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
APA450-FG484A
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5N
Intel
EP20K200EFC672-2X
Intel
10M16DAF256I6G
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation