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ON Semiconductor FDMC8200S_F106

Name: FDMC8200S_F106
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMC8200S_F106
Availability: InStock
Rating: 4.6 (121 reviews)

Numero parte MFG: FDMC8200S_F106

quantità disponibile: 54150 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDMC8200S_F106.pdf

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FDMC8200S_F106 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDMC8200S_F106
Numero di parte futuro	FT-FDMC8200S_F106
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMC8200S_F106 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A, 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Potenza - Max	700mW, 1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-Power33 (3x3)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMC8200S_F106 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDMC8200S_F106-FT

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