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Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF
- Numero parte MFG
- IRFH4257DTRPBF
- quantità disponibile
- 38820 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IRFH4257DTRPBF.pdf
IRFH4257DTRPBF specificazioni
| codice articolo del costruttore | IRFH4257DTRPBF |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IRFH4257DTRPBF |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRFH4257DTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1321pF @ 13V |
| Potenza - Max | 25W, 28W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Dual PQFN (5x4) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFH4257DTRPBF Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IRFH4257DTRPBF-FT |
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