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Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF

Name: IRFH4255DTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH4255DTRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (264 reviews)

Numero parte MFG: IRFH4255DTRPBF

quantità disponibile: 31820 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFH4255DTRPBF.pdf

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IRFH4255DTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFH4255DTRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFH4255DTRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFH4255DTRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	64A, 105A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1314pF @ 13V
Potenza - Max	31W, 38W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (5x6)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH4255DTRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFH4255DTRPBF-FT

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