casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDC637AN
codice articolo del costruttore | FDC637AN |
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Numero di parte futuro | FT-FDC637AN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC637AN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1125pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC637AN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC637AN-FT |
HUF76645P3
ON Semiconductor
HUFA75307P3
ON Semiconductor
HUFA75309P3
ON Semiconductor
HUFA75321P3
ON Semiconductor
HUFA75329P3
ON Semiconductor
HUFA75333P3
ON Semiconductor
HUFA75337P3
ON Semiconductor
HUFA75339P3
ON Semiconductor
HUFA75343P3
ON Semiconductor
HUFA75344P3
ON Semiconductor
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation