casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDC655BN
codice articolo del costruttore | FDC655BN |
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Numero di parte futuro | FT-FDC655BN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC655BN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC655BN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC655BN-FT |
HUF76429P3
ON Semiconductor
HUF76432P3
ON Semiconductor
HUF76439P3
ON Semiconductor
HUF76443P3
ON Semiconductor
HUF76445P3
ON Semiconductor
HUF76633P3
ON Semiconductor
HUF76633P3-F085
ON Semiconductor
HUF76645P3
ON Semiconductor
HUFA75307P3
ON Semiconductor
HUFA75309P3
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel