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ON Semiconductor FDC021N30

Name: FDC021N30
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC021N30
Price: 0.094088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (416 reviews)

Numero parte MFG: FDC021N30

quantità disponibile: 19930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.094088

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® PT8 N 30V/20V MOSFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDC021N30.pdf

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FDC021N30 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDC021N30
Numero di parte futuro	FT-FDC021N30
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDC021N30 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC021N30 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDC021N30-FT

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