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ON Semiconductor FDI045N10A-F102

Name: FDI045N10A-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDI045N10A-F102
Price: 3.696 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (738 reviews)

Numero parte MFG: FDI045N10A-F102

quantità disponibile: 19930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.696

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDI045N10A-F102.pdf

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FDI045N10A-F102 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDI045N10A-F102
Numero di parte futuro	FT-FDI045N10A-F102
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDI045N10A-F102 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5270pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDI045N10A-F102 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDI045N10A-F102-FT

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