casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDG6302P
codice articolo del costruttore | FDG6302P |
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Numero di parte futuro | FT-FDG6302P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDG6302P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 140mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 140mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
Potenza - Max | 300mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SC-70-6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6302P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDG6302P-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies