casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF5810
codice articolo del costruttore | IRF5810 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF5810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF5810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
Potenza - Max | 960mW |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF5810-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
LCMXO2-7000ZE-1FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40E3SG
Intel
EP20K400EBC652-2
Intel