casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD86250
codice articolo del costruttore | FDD86250 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD86250 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD86250 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta), 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 132W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86250 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD86250-FT |
FQD7P06TM
ON Semiconductor
RFD3055LESM9A
ON Semiconductor
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies
IRFR220NTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3411TRPBF
Infineon Technologies
IRFR3504ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3709ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3910TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3110ZTRPBF
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel