casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR3110ZTRPBF
codice articolo del costruttore | IRLR3110ZTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR3110ZTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR3110ZTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR3110ZTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR3110ZTRPBF-FT |
FDD5614P
ON Semiconductor
FQD7P20TM
ON Semiconductor
IRFR5505TRPBF
Infineon Technologies
FQD11P06TM
ON Semiconductor
FQD2N100TM
ON Semiconductor
FDD8896
ON Semiconductor
IRFR1018ETRPBF
Infineon Technologies
FDD8882
ON Semiconductor
FDD8896-F085
ON Semiconductor
FDD9409L-F085
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel