casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7351PBF
codice articolo del costruttore | IRF7351PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7351PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7351PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7351PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7351PBF-FT |
IRF7101TRPBF
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IRF7306TRPBF
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IRL6372TRPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
XCS30XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXEA5N2F40C1N
Intel
5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel
10AX066N4F40I3LG
Intel