casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDC3601N
codice articolo del costruttore | FDC3601N |
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Numero di parte futuro | FT-FDC3601N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC3601N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
Potenza - Max | 700mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC3601N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC3601N-FT |
IRF7901D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7902PBF
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IRF7902TRPBF
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XCS10-4TQ144C
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5SGSMD3E2H29C2N
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XC5VLX50T-1FF665C
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XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F484C
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LCMXO3LF-6900C-5BG256I
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5CEFA2F23C7N
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EPF10K100EQC208-2X
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