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Infineon Technologies IRF7910TRPBF

Numero parte MFG
IRF7910TRPBF
quantità disponibile
32880 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.536304
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7910TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF7910TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF7910TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7910TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 6V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7910TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7910TRPBF-FT

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