casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDBL86062-F085
codice articolo del costruttore | FDBL86062-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FDBL86062-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDBL86062-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6970pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 429W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HPSOF |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL86062-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDBL86062-F085-FT |
FDP7N60NZ
ON Semiconductor
FDP12N60NZ
ON Semiconductor
FDP5500-F085
ON Semiconductor
FDP8443-F085
ON Semiconductor
FQE10N20CTU
ON Semiconductor
FQE10N20LCTU
ON Semiconductor
FDMC8010DC
ON Semiconductor
FDMS8050ET30
ON Semiconductor
FDMS86202ET120
ON Semiconductor
FDMS86202
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel