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ON Semiconductor FDB12N50TM

Name: FDB12N50TM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB12N50TM
Price: 0.968832 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (318 reviews)

Numero parte MFG: FDB12N50TM

quantità disponibile: 56790 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.968832

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: UniFET™ MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDB12N50TM.pdf

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FDB12N50TM specificazioni

codice articolo del costruttore	FDB12N50TM
Numero di parte futuro	FT-FDB12N50TM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UniFET™
FDB12N50TM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1315pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	165W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB12N50TM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDB12N50TM-FT

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