casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCA16N60N
codice articolo del costruttore | FCA16N60N |
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Numero di parte futuro | FT-FCA16N60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SupreMOS™ |
FCA16N60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 134.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCA16N60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCA16N60N-FT |
FDMS8026S
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XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
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10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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