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ON Semiconductor FCMT199N60

Numero parte MFG
FCMT199N60
quantità disponibile
22350 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.504784
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
SuperFET® II MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FCMT199N60 specificazioni

codice articolo del costruttore FCMT199N60
Numero di parte futuro FT-FCMT199N60
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SuperFET® II
FCMT199N60 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Power88
Pacchetto / caso 4-PowerTSFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCMT199N60 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FCMT199N60-FT

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