casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FD6M033N06
codice articolo del costruttore | FD6M033N06 |
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Numero di parte futuro | FT-FD6M033N06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power-SPM™ |
FD6M033N06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 73A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 129nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6010pF @ 25V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | EPM15 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EPM15 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD6M033N06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD6M033N06-FT |
IRFH4255DTRPBF
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ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C7
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFXP3C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H2F35I2L
Intel